1. Feng Chia University Institutional Repository

瀏覽 的方式： 作者 K. T. Lee、Y. T. Shen、Y. C. Lin、Y. P. Huang、W. C. Hsu、C. S. Lee*

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Al2O3/TiO2-Passivated InAlN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors李景松10-24-19
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