題名: | Al2O3-Dielectric InAlN/AlN/GaN MOS-HFETs With Enhanced UV Detection |
作者: | 李景松 |
作者群: | C. S. Lee*、W. C. Hsu、Y. P. Haung、Y. C. Lin |
系所/單位: | 電子工程學系 |
期刊名/會議名稱: | 2019 International Conference on Materials Sciences and Nanomaterials |
會議地點 : | University of Oxford |
會議舉行國家 : | United Kingdom |
日期: | 07-22-19 |
會議資料 : | 摘要集+CD |
學年度: | 108 |
分類: | 會議論文 |
文件中的檔案:
檔案 | 大小 | 格式 | |
---|---|---|---|
C108312CE090001_001.pdf Restricted Access | 605.27 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
在 DSpace 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。