題名: Al2O3-Dielectric InAlN/AlN/GaN MOS-HFETs With Enhanced UV Detection
作者: 李景松
作者群: C. S. Lee*、W. C. Hsu、Y. P. Haung、Y. C. Lin
系所/單位: 電子工程學系
期刊名/會議名稱: 2019 International Conference on Materials Sciences and Nanomaterials
會議地點 : University of Oxford
會議舉行國家 : United Kingdom
日期: 07-22-19
會議資料 : 摘要集+CD
學年度: 108
分類:會議論文

文件中的檔案:
檔案 大小格式 
C108312CE090001_001.pdf
  Restricted Access
605.27 kBAdobe PDF檢視/開啟


在 DSpace 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。