完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 李景松 | |
| dc.contributor.other | W .C. Hsu、Y. P. Huang、C. S. Lee | |
| dc.date | 108 | |
| dc.date.accessioned | 2020-06-15T03:14:35Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-15T03:14:35Z | - |
| dc.date.issued | 07-22-19 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/1027 | - |
| dc.relation.ispartofseries | 2019 International Conference on Materials Sciences and Nanomaterials | |
| dc.relation.isversionof | Poster Presentation | |
| dc.title | Investigation of AlGaN/GaN MOS-HEMT with In-Situ Doped Al2O3 by Using Ultrasonic Pyrolysis Deposition | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系 | |
| dc.identifier.AccessionNumber | 0002 | |
| teacher.country | United Kingdom | |
| teacher.location | University of Oxford | |
| teacher.media | 摘要集+CD | |
| teacher.international | 國際性 | |
| teacher.type | 會議論文 | |
| 分類: | 會議論文 | |
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