完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 林成利 | |
| dc.contributor.other | Cheng-Li Lin*、Tse-Jui Tseng、Yao-Jen Lee、Pi-Chun Juan、Tsung-Kuei Kang | |
| dc.date | 108 | |
| dc.date.accessioned | 2020-06-15T03:15:53Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-15T03:15:53Z | - |
| dc.date.issued | 10-24-19 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/1496 | - |
| dc.relation.ispartofseries | 2019 Int. Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) | |
| dc.relation.isversionof | C4-1 (Oral) | |
| dc.title | Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics of Ferroelectric HfZrO2 Film Deposited on N+/P-Substrate with Microwave Thermal Annealing | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系 | |
| dc.identifier.AccessionNumber | 0014 | |
| teacher.country | Taiwan | |
| teacher.location | Four Points by Sheraton, Taoyuan Airport MRT A9 Linkou Station | |
| teacher.media | 論文集+CD | |
| teacher.international | 國際性 | |
| teacher.type | 會議論文 | |
| 分類: | 會議論文 | |
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