完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 林成利 | |
| dc.date | 107 | |
| dc.date.accessioned | 2021-02-19T10:16:59Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-19T10:16:59Z | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/4640 | - |
| dc.description | 本計畫進行氧化釔鉿(HfYO)鐵電材料薄膜經微波退火(MWA)與快速熱退火 (RTA)特性研究。以濺鍍製程沉積HfYO 為鐵電層的MFIS 結構為電容試片，觀 察否有鐵電性及負電容特性產生，並且比較不同退火製程條件下的氧化層漏電流、 電容大小以及鐵電負電容特性。 在RTA 750℃製程條件下可觀察到最大的P-V 磁滯迴圈，即有較佳的極化現 象，經由量測元件之Ig-Vg 特性後，可得知矯頑電場強度方面有不錯的表現。在 微波退火方面，經微波退火100 秒及200 秒後的元件，施加偏壓至3.4V~3.5V 時， 其極化(polarization)較明顯，有電容峰值產生，這個峰值意味有負電容效應產生。 綜合以上不同退火製程條件實驗結果，以MWA 200 秒退火鐵電氧化層較為適合， 在閘極漏電流及電容值上較其他退火製程條件有較佳的表現。 | |
| dc.subject | 氧化釔鉿、鐵電材料、負電容、磁滯效應、極化 | |
| dc.title | 氧化釔鉿(HfYO)薄膜之閘極鐵電負電容製程開發與特性研究 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 林成利 | |
| most.period | 2018/07/01~2019/02/28 | |
| most.serialnumber | 107-2813-C-035-097-E | |
| 分類: | 109年度 | |
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| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
| 107-2813-C-035-097-E.pdf | 1.99 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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