完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 莊琇雯 | |
| dc.contributor.author | 徐佩煌 | |
| dc.contributor.author | 林郁芸 | |
| dc.contributor.author | 陳怡樺 | |
| dc.contributor.author | 謝張荻 | |
| dc.date | 107學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2019-04-01T11:41:34Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-07-30T08:22:48Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-01T11:41:34Z | |
| dc.date.available | 2020-07-30T08:22:48Z | - |
| dc.date.issued | 2019-04-01T11:41:34Z | |
| dc.date.submitted | 2019-04-01 | |
| dc.identifier.other | D0442853、D0442955、D0596725、D0410209、D0571693 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/31865 | - |
| dc.description.abstract | 中文摘要 本專題旨在應用超音波噴霧熱解沉積技術(ultrasonic spray pyrolysis deposition)研製以氧化鋁為電介質之漸進式障壁層(Graded-Barrier)製成AlxGa1-xN/AlN/GaN/Si (x = 0.22~0.3)的金屬-氧化物-半導體異質結構場效電晶體(MOS-HFET)與常見障壁層(Conventional-Barrier) Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN/Si MOS-HFET以及蕭特基閘極HFET裝置做比較。藉由漸進式障壁層可使介面品質問題與增加蕭特基能障高度問題同時得到解決。符合成本效益的超音波噴霧熱解沉積(USPD)科技目前常用於製作MOS-HFET的表面鈍化與沉積高介電係數(high-K)氧化鋁閘極絕緣層。 在此專題中，將廣泛地討論到藉由量測裝置表現出來的特性，包括外質轉導(gm,max)、閘極電極擺幅(GVS)、最大汲源極電流密度(IDS,max)、崩潰電壓、開關電流比率(Ion/Ioff)、高頻、次臨界擺幅(SS)與功率特性。 | |
| dc.description.abstract | Abstract A study of a novel Al2O3 dielectric gradient barrier (GB) AlxGa1-xN / AlN / GaN / Si (x = 0.22~0.3) metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor (MOSHFET) through ultrasonic spray pyrolysis deposition(USPD) technique compared with a conventional-barrier (CB) Al0.26Ga0.74N / AlN / GaN / Si MOS-HFET and the Schottky gate HFET devices. The gradient barrier (GB) AlxGa1-xN was designed to improve interface quality and increase the Schottky barrier height simultaneously. The cost effective technique commonly applied to make surface passivation and deposit the high-k Al2O3 gate-dielectric on the AlGaN barrier. Comprehensive device performances, including maximum external transconductance (gm,max), gate voltage swing (GVS) linearity, maximum drain-source current density (IDS,max), breakdown voltage, on/off current ratio (Ion/Ioff), high frequency, subthreshold swing (SS) and power performance. | |
| dc.description.tableofcontents | 目 次 中文摘要…………………………………………………………….1 Abstract….………………………………………………………….2 目次.....………………………………………………………………3 表目錄 5 圖目錄 6 第一章、簡介………………………………………………………..7 第二章、使用儀器介紹……………………………………………..8 2-1. ULVAC MILA-5000 快速升溫退火系統 8 2-2. AFM 原子力顯微鏡與TEM 穿透式電子顯微鏡 9 2-3. on-wafer load-pull system 負載拉移系統 11 2-4. HP8510B 網路分析儀 12 第三章、元件結構設計與元件製程 ……………………………..13 3-1. 元件結構 13 3-2. 元件製程 14 3-3. 常見之氧化方法 15 第四章、實驗結果與討論………………………………………….21 4-1. 氧化層薄膜厚度分析 21 4-2. 直流與脈衝模式特性 22 4-3. 外質轉導與汲極電流特性 23 4-4. 雙端截止崩潰電壓和導通電壓與三端截止崩潰電壓特 25 4-5. 截止頻率與最大頻率震盪頻率之特性 26 4-6. 功率特性 27 第五章、結論………………………………………………………28 參考文獻…………………………………………………………...29 表目錄 表1 研究元件對USPD作用時間的特性比較…………………...21 表2 研究元件的直流與脈衝特性………………………………...22 表3 研究元件的外質轉導與汲極電流特性比較………………...23 表4 研究元件的閘極電壓擺幅特性……………………………...24 表5 研究元件的開關電流比率與次臨界擺幅特性……………...24 表6 研究元件的崩潰電壓與導通電壓特性比較………………...25 表7 研究元件的微波特性比較…………………………………...26 表8 研究元件的功率特性比較…………………………………...27 圖目錄 附件圖 超音波熱裂解儀器裝置圖……………………………….31 圖1 研究元件ALGAN/ALN/GAN HFET結構示意圖………..32 圖2 研究元件IDS對USPD作用時間的變化………………...…33 圖3 USPD作用時間之氧化物表面AFM片……………..…...…34 圖4 模型D MOS閘極結構的TEM照片………………………34 圖5 元件直流與脈衝操作下的IV曲線…………………………35 圖6 室溫下元件的汲極電流(ids)和外質轉導(gm)特性……….....36 圖7 (a) 元件的兩端截止閘汲極崩潰電壓(BVGD)特性………….36 圖7 (b) 元件的兩端截止導通電壓(Von)特性………………….....37 圖7 (c) 室溫下元件的三端截止汲源極崩潰電壓(BVDS)特性…..37 圖8元件的截止頻率(fT)與最大震盪頻率(fmax)特性……………..38 圖9元件的功率特性………………………………………………38 | |
| dc.format.extent | 38p. | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵 | |
| dc.subject | 三氧化二鋁 | |
| dc.subject | 漸進式障壁層 | |
| dc.subject | 金屬-氧化物-半導體異質結構場效電晶體 | |
| dc.subject | 超音波噴霧熱解沉積技術 | |
| dc.subject | AlGaN / AlN / GaN, Al2O3 | |
| dc.subject | gradient barrier AlxGa1-xN | |
| dc.subject | MOS-HFET | |
| dc.subject | ultrasonic spray pyrolytic deposition | |
| dc.title | 具有漸進式障壁層結構氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵/矽之金屬-氧化物-半導體異質結構場效電晶體研製 | |
| dc.title.alternative | Comparative Study on Graded-Barrier AlxGa1−xN/AlN/GaN/Si Metal-Oxide-Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor | |
| dc.type | UndergraReport | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電107學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D0442853107104.pdf | 1.01 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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