先進的金氧半場效發射電晶體技術

Abstract

多方功能性與複雜性的積體電路組合近來增加的很快速。在1990年後，藉著縮小的元件和線寬的尺寸這些複雜的特性被完成，且還需要去藉著使用較低電阻值的銅去取代鋁合金來降低電路延遲。 電致遷移(EM)，金屬的質量傳輸是由於導電的電子和擴散金屬原子之間的動能轉換，和存在的電流流通在金屬導線上。電致遷移已經在100年多前就已經被大量的發現，1996年的早期的IC製造出來的時期是它第一次被揭發和持續有問題出現。電致遷移是未來在後段製程研究的主要影響因素。 另外，在這20年來，應力通道技術被完全檢驗，因為它增強了載子在元件驅動電流移動的主要因素的貢獻。為了CMOS高的效能，近來他有被提出整合入積體電路工業裡。雖然有很多的方法去尋找高增強型的元件，但應力技術是很有希望的候選者之一。接下來的章節我們將探討在一般(100)矽基板的矽通道的應力。我們將討論基本的矽應力的物理機制、近來提出的技術和未來的目標。 互補式金氧半製程是最重要的半導體積體電路技術，舉凡記憶體及邏輯等多樣化的產品皆以此作為發展的原動力，相關產業也因而興盛不已。一個MOS電晶體元件是以閘極作為控制電極，即以閘極的電壓訊號控制電晶體的輸出特性。傳統上，是以含高濃度n型雜質的多晶矽做為此閘極材質。進入深次微米紀元後，相關的閘極技術有很大的變革，也面臨許多的挑戰及問題待突破與解決，包括材料種類、形成方式、及可靠性等。 除了以上簡短說明之外，此報告將還會針對MOSFET應用方面，如無電鍍化學、Flash、奈米科技的應用‧‧‧等等作更深一步的探討。