完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 劉衍昌 | |
| dc.contributor.author | 薛惟仁 | |
| dc.date | 95學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-08-23T05:53:12Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-22T08:32:21Z | - |
| dc.date.available | 2009-08-23T05:53:12Z | |
| dc.date.available | 2020-05-22T08:32:21Z | - |
| dc.date.issued | 2007-03-30T07:16:24Z | |
| dc.date.submitted | 2007-03-29 | |
| dc.identifier.other | D9230259 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lib.fcu.edu.tw/handle/2377/556 | - |
| dc.description.abstract | 雙擴散金氧半電晶體部分則應用Reduce Surface Field(簡稱RESURF 原理)來增進電晶體耐壓的能力， 並針對元件的終端結構利用場板（ field plate） 的方法來改善元件終端的電場分佈。也討論了p-body邊界長度越靠近氧化層的鳥嘴結構，則電晶體的崩潰電壓也就越高。磊晶層厚度也是影響崩潰電壓因素之ㄧ，太厚磊晶層反而會導致提早崩潰，使氧化層沒有完全發揮到耐壓特性。 | |
| dc.format.extent | 73p. | |
| dc.format.extent | 3764502 bytes | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 水平雙擴散電晶體 | |
| dc.subject | 場版定理 | |
| dc.subject | RESURF 原理 | |
| dc.subject | SOI解構 | |
| dc.title | 水平雙擴散電晶體之SOI結構模擬分析 | |
| dc.type | UndergraReport | |
| dc.description.course | 化合物半導體 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電095學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D923025995101.pdf | 3.68 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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