完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 朱柏儒 | |
| dc.contributor.author | 黃建彰 | |
| dc.date | 96學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-08-23T05:53:21Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-22T08:32:54Z | - |
| dc.date.available | 2009-08-23T05:53:21Z | |
| dc.date.available | 2020-05-22T08:32:54Z | - |
| dc.date.issued | 2007-12-27T02:28:18Z | |
| dc.date.submitted | 2007-12-26 | |
| dc.identifier.other | D9329484 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lib.fcu.edu.tw/handle/2377/567 | - |
| dc.description.abstract | 在本篇專題的研究中，主要是在利用氮化矽薄膜本身具有的高應力特性來控制電子通道中應力的大小，進而達到改善電子遷移率的目的。我們發現較厚的氮化矽薄膜可以有效的改善載子遷移率。此外，我們也利用不同的複晶矽閘極厚度作為實驗的條件，結果顯示複晶矽閘極厚度增加會使電子遷移率的提升幅度能夠更加顯著。同時利用改變複晶矽閘極的厚度以及覆蓋較厚的氮化矽薄膜這兩種方式，可以有效提昇元件的電流驅動能力達21%。 載子遷移率隨著通道長度越小，改善的幅度會越大。因此，在未來CMOS製程中，隨著製程技術不斷進步以及元件尺寸越縮越小的趨勢下，對於應用區域性應變技術來改善元件的操作速度，將備受矚目。 | |
| dc.format.extent | 51p. | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 載子遷移率 | |
| dc.subject | 應力 | |
| dc.title | 氮化矽之區域性應變對N型金氧半電晶體之影響 | |
| dc.type | UndergraReport | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程系, 資電學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程系, 資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電096學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D932948496101.pdf | 1.22 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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