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dc.contributor.author陳俞仲
dc.date98 學年度 第 2 學期
dc.date.accessioned2010-07-05T14:03:03Z
dc.date.accessioned2020-05-29T08:36:59Z-
dc.date.available2010-07-05T14:03:03Z
dc.date.available2020-05-29T08:36:59Z-
dc.date.issued2010-07-05T14:03:03Z
dc.date.submitted2010-06-30
dc.identifier.otherm9802536
dc.identifier.urihttp://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/714-
dc.description.abstract本研究提出一種利用原子彈道的簡單二維模型來探討薄膜的生長情況。在這個模型內,原子會筆直的撞擊已沉積的原子,並且會先生長成柱狀結構。而早在1977年時Dirks和Leamy提出了撞擊原子的鬆散遷移準則,原子會先遷移至最近的孔隙內,此孔隙是由另外兩個原子所形成的。而本研究所提出的模型,其鬆散準則主要是與已沉積原子的幾何位置有關。例如,欲沉積的原子,其鬆散遷移位置可能會緊黏著三、二或一顆原子,而這些緊黏的原子則是已經先沉積的原子。同時,本研究最主要的探討對於薄膜沉積的影響,包含了,基板溫度、沉積速率、入射角度、自我遮蔽效應與基板粗糙度,而基板種類也探討了非晶基板的影響。而本研究的結果與文獻上金屬薄膜沉積的結構區域模型(structure zone model (SZM))有非常好的一致性與品質。
dc.description.tableofcontents摘要 1 目錄 2 圖目錄 3 表目錄 4 第一章 緒論 5 1-1 研究動機 5 1-2 研究目的 5 1-3 研究方法 6 第二章 基本理論 7 2-1 電腦模型理論探討 7 2-2 自我遮蔽效應(self-shadowing effect)[16] 11 2-3 表面擴散[19] 12 2-4 結構區域模型(Structure Zone Model) 13 第三章 結果與討論 16 3-1 典型的薄膜長成結果 16 3-2 垂直入射光滑基板的沉積模擬 17 3-2-1 沉積速率固定時,改變基板溫度 17 3-2-2 基板溫度固定時,改變沉積速率 18 3-3 垂直入射粗糙面與非晶面的沉積模擬 20 3-3-1 典型的粗糙面薄膜生長情形 20 3-3-2 不同沉積速率在粗糙面上薄膜生長情形 21 3-3-3 不同沉積速率在非晶面上薄膜生長情形 22 3-4 斜向入射平滑基板表面的薄膜生長 23 第四章 結論 26 參考文獻 27 圖目錄 圖 2- 1 原子沉積捕捉長度與可能沉積位置 8 圖 2- 2 原子擴散示意圖 11 圖 2- 3 沉積角度和柱狀傾斜角度關係示意圖 12 圖 2- 4 原子表面擴散示意圖 13 圖 2- 5 氣壓與溫度對薄膜長成之模型 14 圖 3- 1 典型薄膜長成過程 16 圖 3- 2 固定沉積速率情況下,改變基板溫度時薄膜長成情形 17 圖 3- 3 固定基板溫度時,不同的沉積速率所相對應的薄膜長成情形 18 圖 3- 4 不同的基板溫度與沉積速率下,擴散原子數與堆積密度曲線圖 20 圖 3- 5 粗糙表面的薄膜長成情形 21 圖 3- 6 固定溫度下,不同沉積速率在粗糙基板上的薄膜長成情形 22 圖 3- 7 固定溫度下,不同沉積速率在非晶基板上的薄膜長成情形 23 圖 3- 8 不同入射角度,在基板溫度400 K時,薄膜沉積情形 24 圖 3- 9 不同入射角度,在基板溫度850 K時,薄膜沉積情形 25 表目錄 表2- 1 鍍膜參數對膜質的影響 15
dc.format.extent30p
dc.language.isozh
dc.rightsopenbrowse
dc.subject金屬薄膜
dc.subject結構區域模型
dc.subject薄膜沉積
dc.title以電腦模式模擬結構區域模型中薄膜的成長
dc.typegradreport
dc.description.course薄膜技術
dc.contributor.department電機工程研究所,資訊電機學院
dc.description.instructor田春林
dc.description.programme電機工程研究所光電組,資訊電機學院
分類:資電098學年度

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