完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 蕭郁蘋 | |
| dc.contributor.author | 余曉惠 | |
| dc.date | 98學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2010-01-25T14:14:22Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-29T08:37:01Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-25T14:14:22Z | |
| dc.date.available | 2020-05-29T08:37:01Z | - |
| dc.date.issued | 2010-01-25T14:14:22Z | |
| dc.date.submitted | 2010-01-22 | |
| dc.identifier.other | D9572604、D9572222 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/724 | - |
| dc.description.abstract | 在本文中，成功地利用「分子束磊晶法」製作出砷化銦鎵銻的通道，應用在高電子移動率電晶體。在成長砷化銦鎵/砷化鎵量子井的過程中，我們摻入銻當成是一種類似活化劑的作用，其優點是可以降低三向成長、能夠有效地增加通道載子侷限能力以及改善成長砷化銦鎵/砷化鎵薄膜之間的介面品質。因此，砷化銦鎵銻通道可以提升載子的傳輸能力以及對於元件的效能有很大的幫助。 本文探討研製砷化銦鎵銻/砷化鎵元件中製作兩種不同材料的閘極批覆層，其一為氮化矽批覆層(SiNx passivation)，另一為與硫化銨((NH4)2Sx)溶液反應之硫化批覆層。在室溫下，閘極尺寸為1.2×200 μm2 時，無披覆層、氮化矽批覆層及硫化披覆層三種樣本的最大異質轉導值(gm,max)為183 (205/221) mS/mm ，電流驅動能力(Idss) 為174 (190/205) mA/mm ，兩端點崩潰電壓(BVGD)為7.2(8.8/13.1)V ，電源功率輸出效率(PAE)為13 (21.4/30.4) % 。 由實驗結果可知，使用閘極披覆層有好的高頻應用以及低雜訊特性。此外，使用硫化批覆層之砷化銦鎵銻/砷化鎵高電子移動率電晶體元件可得到最小輸出轉導、最高增益、最好線性度以及最大崩潰電壓，進而得到最好的功率特性。因此，擁有硫化披覆層的砷化銦鎵銻/砷化鎵高電子移動率電晶體相當適合應用於高線性度及高功率的微波積體電路方面。 | |
| dc.description.tableofcontents | 第一章 序論1 第二章 假晶性高電子移動率電晶體的磊晶成長與工作理3 2-1典型的假晶性高電子移動率電晶體3 2-2假晶性高電子移動率電晶體磊晶層設計3 2-2-1 覆蓋層4 2-2-2 蕭特基層4 2-2-3 間隔層4 2-2-4 銻摻雜的假晶性砷化銦鎵通道層5 2-2-5 緩衝層6 2-3二維電子雲6 第三章 元件結構與製程步驟9 3-1元件結構9 3-2製程步驟10 3-2-1 樣本定位12 3-2-2 高台絕緣12 3-2-3 源極與汲極的金屬化12 3-2-4 閘極蕭特基接觸13 3-2-5 氮化矽覆蓋層的結構(樣本B)14 3-2-6 硫化批覆層的結構(樣本C)14 第四章 實驗結果與討論15 4-1 霍爾量測15 4-2 300K時DC特性 15 4-2-1 電流-電壓特性16 4-2-2 外部轉導特性18 4-2-3 兩端點崩潰電壓特性22 4-2-4 輸出電導特性23 4-3 射頻特性26 4-4 功率特性28 4-5 失真與線性度30 4-6 雜訊特性33 4-7 低頻雜訊特性35 4-8 溫度變化特性36 第五章 總論42 參考資料43 | |
| dc.format.extent | 50p. | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 表面缺陷 | |
| dc.subject | 砷化銦鎵銻 | |
| dc.subject | 硫化批覆層 | |
| dc.subject | 氮化矽披覆層 | |
| dc.subject | 閘極批覆 | |
| dc.title | 具閘極披覆層處理銻摻入稀釋型通道-砷化銦鎵/砷化鎵異質結構場效電晶體之研製 | |
| dc.type | UndergraReport | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電098學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D957260498101.pdf | 2.48 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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