完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張嘉峻 | |
| dc.date | 98學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2010-01-25T14:14:48Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-29T08:37:01Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-25T14:14:48Z | |
| dc.date.available | 2020-05-29T08:37:01Z | - |
| dc.date.issued | 2010-01-25T14:14:48Z | |
| dc.date.submitted | 2010-01-25 | |
| dc.identifier.other | D9530260 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/725 | - |
| dc.description.abstract | 複晶矽薄膜電晶體其具有較高的載子遷移率與驅動電流，且有將驅動電路整合於基板上的能力，開創高亮度、減少面板製造上的成本和增加可靠度等優點，所以在許多方面像主動式液晶顯示器、太陽能電池、記憶元件等發展已經受到矚目。 然而我們可以在許多文獻中發現，複晶矽薄膜電晶體不斷的改良出新穎式的結構，好因應高接面電場所帶來許多的不理想效應，而多閘極薄膜電晶體此結構就是其中之一，但在過去的文獻裡，我們只能知道它可以有效的降低電場，卻不曉得此結構操作的原理以及其設計的依據。 在本實驗中，我們利用ISE TCAD此套軟體進行了對Multigate TFT二維的模擬，並且研究了許多不同閘極長度的電場值，最後成功的解釋了它的物理特性以及整理出一套的設計依據，如此一來，就能明確地控制此結構並抑止高接面電場及其所帶來的不理想效應，也將不會浪費多餘的製程成本。 | |
| dc.description.tableofcontents | 摘 要 i 目 錄 ii 圖 目 錄 iii 表 目 錄 iv 第一章 前言 1 1-1薄膜電晶體簡介與應用 1 1-2、TFT的不理想效應 8 1-2.1 漏電流效應 (Leakage Current Effect) 10 1-2.2 熱載子效應(Hot Carrier Effect) 12 1-2.3扭結效應 (kink effect) 14 1-3薄膜電晶體之基本結構 16 第二章 多閘極薄膜電晶體之分析模擬 19 2-1動機 19 2-2實驗方法與設計 19 2-3 Multigate結構之製程步驟 21 第三章Multigate之模擬數據與討論結果 24 3-1前言 24 3-2 Multigate之電場分析 24 3-3結果與討論 30 第四章 結論 36 參考文獻 37 圖 目 錄 圖1.1液晶顯示器技術之應用 2 圖1.2 三種不理想效應 9 圖1.3 漏電流效應的示意圖 11 圖1.4熱載子產生、電流分量、注入氧化物中的電子 12 圖1.5 薄膜電晶體常見的熱載子效應: (a) CHE，(b) DAHC 13 圖1.6 扭結效應 16 圖1.7 扭結電流 16 圖1.8薄膜電晶體常見之基本結構 18 圖2.1實驗方法之分析Multigate結構示意圖 21 圖2.2 Multigate之關鍵製程步驟 23 圖3.1 Multigate之Double Gate結構 25 圖3.2 Double Gate水平電場圖 25 圖3.3 Double Gate水平電位圖 26 圖3.4 Multigate之Triple Gate結構 27 圖3.5 Triple Gate水平電場圖 28 圖3.6 Multiple Gate結構圖 29 圖3.7 Multiple Gate水平電場圖 29 圖3.8外加偏壓VDS=9V時，通道空乏區長度 31 圖3.9 First Gate Length對Drain接面電場值 32 圖3.10(a) 結構(2,10) μm之電位圖 33 圖3.10(b) VDS'=5.95V時Second Gate通道空乏區長度 34 圖3.11 變動Second Gate Length之Triple Gate結構 34 圖3.12 Second Gate Length電場峰值折線圖 35 表 目 錄 表1.1薄膜電晶體技術分類比較表 5 表1.2各種複晶矽製作手法比較 6 表3.1各種Multigate與傳統結構12μm之電場比較 26 | |
| dc.format.extent | 43p. | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 薄膜電晶體 | |
| dc.subject | 閘極長度對電場影響 | |
| dc.subject | 多閘極 | |
| dc.title | 多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響 | |
| dc.title.alternative | The Effect of Electric field on the Gate Length of Multigate Polysilicon TFT | |
| dc.type | Undergracase | |
| dc.description.course | 專題研究(一) | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 簡鳳佐 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電098學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D953026098101.pdf | 1.43 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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