氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體高熱穩定特性之研製

Abstract

本專題中，我們藉由銻原子當做介面活化劑研究氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體之特性。其氮砷化銦鎵通道是藉由分子束磊晶(MBE)方式成長，這是第一次研究成功混入銻原子來提高其特性。藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體有非常良好的高熱穩定特性，包括了其熱門檻係數(Vth/T)只有-0.807 mV/K和高溫線性(GVS/T)也只有-0.053 mV/K，而且成功達成改善晶格缺陷品質還有增加了載子限制的能力在氮砷化銦鎵/砷化鎵異質結構中。由實驗結果可知，藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體證明了其有最大外質轉導值94 (109) mS/mm 在 450 (300) K的時候，這說明了其高熱穩定特性的表現。