題名: | 氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體高熱穩定特性之研製 |
作者: | 劉柏谷 張育銓 莊家豪 |
關鍵字: | 氮砷化銦鎵/砷化鎵 介面活化劑 銻 |
系所/單位: | 電子工程學系, 資訊電機學院 |
摘要: | 本專題中,我們藉由銻原子當做介面活化劑研究氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體之特性。其氮砷化銦鎵通道是藉由分子束磊晶(MBE)方式成長,這是第一次研究成功混入銻原子來提高其特性。藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體有非常良好的高熱穩定特性,包括了其熱門檻係數(Vth/T)只有-0.807 mV/K和高溫線性(GVS/T)也只有-0.053 mV/K,而且成功達成改善晶格缺陷品質還有增加了載子限制的能力在氮砷化銦鎵/砷化鎵異質結構中。由實驗結果可知,藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體證明了其有最大外質轉導值94 (109) mS/mm 在 450 (300) K的時候,這說明了其高熱穩定特性的表現。 |
日期: | 2008-12-25T02:46:42Z |
學年度: | 97學年度第一學期 |
開課老師: | 李景松 |
課程名稱: | 化合物半導體元件 |
系所: | 電子工程學系, 資訊電機學院 |
分類: | 資電097學年度 |
文件中的檔案:
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