完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 黃家津 | |
| dc.contributor.author | 陳亦斌 | |
| dc.contributor.author | 吳建緯 | |
| dc.contributor.author | 謝詠安 | |
| dc.date | 97學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-06-02T07:56:06Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-29T08:37:16Z | - |
| dc.date.available | 2009-06-02T07:56:06Z | |
| dc.date.available | 2020-05-29T08:37:16Z | - |
| dc.date.issued | 2009-01-02T08:32:50Z | |
| dc.date.submitted | 2008-12-31 | |
| dc.identifier.other | D9465591、D9466103、D9422517、D9587738 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/744 | - |
| dc.description.abstract | 在此專題內，我們將探討近年來快速發展的高電子移動率電晶體的發展及比較兩種不同通道設計的特性。利用不同銦含量組成的通道，完整分析其對元件特性之影響，如：轉導值、閘極電壓擺幅、截止特性、元件線性度及崩潰電壓等。其中元件結構方面，我們以「分子束磊晶」方式來進行磊晶。分子束磊晶(MBE)製程使元件可以成長非常薄的一層具有特定摻雜的特定半導體材料。砷化鋁銦/砷化銦鎵變晶型高電子移動率電晶體利用兩種通道設計，分別是擬晶式通道及V型-對稱型漸變式通道。我們將以此兩種通道設計的高電子移動率電晶體來實現高頻(X-band)放大器的電路。實驗量測與模擬結果顯示，相較於對稱型漸變式通道，擬晶式通道有較高的汲-源極電流密度及外部轉導值，此外電流驅動能力也較好。然而，對稱型漸變式通道則具有較大的閘極電壓擺幅及優越的線性度特性。因此，我們在專題內詳細的分析兩種通道設計的特性與比較。 | |
| dc.description.tableofcontents | 摘要................................................................................................................................1 目錄……………………………………………………………………………………2 圖、表目錄……………………………………………………………………………4 第一章 簡介…………………………………………………………………………7 1-1 前言……………………………………………………………………….7 1-2 研究動機………………………………………………………………….9 1-3 專題架構……………………………………………………………….…9 第二章 高電子移動率電晶體基本原理及模型…………………………………..10 2-1 高電子移動率電晶體之基本原理…………………………………….. 10 2-2 高電子移動率電晶體之結構………………………………………….. 11 2-3 晶圓成長磊晶系統…………………………………………………..… 16 2-4 高電子移動率電晶體之操作模式……………………………………...22 2-5 高電子移動率電晶體之小訊號模型…………………………………...22 第三章 砷化鋁銦/砷化銦鎵變晶式高電子移動率電晶體元件設計…………….27 3-1 元件結構分析…………………………………………………………...27 3-2 實驗結果及討論………………………………………………………...29 3-2-1 霍爾量測結果……………………………………………………….29 3-2-2 電流-電壓特性………………………………………………………30 3-2-3 外質轉導特性……………………………………………….………32 3-2-4 崩潰電壓特性…………………………………………….…………33 3-2-5 截止頻率與最大震盪頻率………………………………….………37 3-2-6 功率特性……………………………………………….……………39 3-2-7 結論……………………………………………………………….…40 第四章 高頻放大器之應用………………………………………………….…….41 4-1 電路設計………………………………………………………….…..…41 4-2 高頻參數特性……………………………………………………..…….42 4-3 實驗結果及討論………………………………………………………...44 4-3-1 輸入/輸出返回消耗特性................................................................. 44 4-3-2 閘極電壓調變穩定度…………………………………………..… 46 4-3-3 閘極電壓擺幅特性…………………………………………..…… 47 4-3-4 結論………………………………………………………..……… 48 第五章 總結…………………………………………………………………..……49 參考文獻……………………………………………………………………………..51 | |
| dc.format.extent | 56p | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 砷化銦鎵/砷化鎵變晶式異質場效電晶體 | |
| dc.subject | InxGa1-xAs/GaAs Metamorphic Heterostructure Field-Effect Transistors | |
| dc.title | 砷化銦鎵/砷化鎵變晶式異質場效電晶體之研製與其應用於高線性度X-頻帶MMIC之電路設計 | |
| dc.title.alternative | Investigations on InxGa1-xAs/GaAs Metamorphic Heterostructure Field-Effect Transistors and Their Applications to X-Band MMIC Designs | |
| dc.type | Undergracase | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電097學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D946610397101.pdf | 815.46 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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