完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 蕭名凱 | |
| dc.contributor.author | 俞詠騰 | |
| dc.contributor.author | 李茂瑜 | |
| dc.date | 97學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-06-02T07:56:08Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-29T08:37:17Z | - |
| dc.date.available | 2009-06-02T07:56:08Z | |
| dc.date.available | 2020-05-29T08:37:17Z | - |
| dc.date.issued | 2008-12-25T02:41:13Z | |
| dc.date.submitted | 2008-12-25 | |
| dc.identifier.other | D9465871,D9465871,D9465909 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/746 | - |
| dc.description.abstract | 目前MOSFET被廣泛應用於在數位電路的應用之中，這是因其具有相當小的面積，而且能製造數千個元件於單一個積體電路之上。所以無庸置疑的，MOSFET是目前積體電路設計的核心。MOSFET的心臟是一個稱為MOS電容的金屬－氧化物－半導體結構。當在MOS電容上外加一個電壓時，在半導體之中接近氧化物－半導體界面的能帶將會彎曲。在氧化物－半導體界面處，傳導帶及價帶相對於費米能階的位置是MOS電容器電壓的一個函數，因此我們能夠藉由外加適當的電壓而將半導體的表面特性由p型反轉成n型，或者由n型反轉成p型。MOSFET的操作及特性乃是由半導體表面處的這種反轉，以及所產生的反轉電荷密度所決定的。臨限電壓（threshold voltage）被定義為產生反轉層電荷所需要外加的閘極電壓，為MOSFET的一個重要係數。因表面電位於整個MOSFET的影響極廣,故我們主要於探討當”閘極殿壓”==“臨界電壓”時,臨界反轉點的MOS表面電位. | |
| dc.description.tableofcontents | 摘要 i 目錄 ii 一、MOSFET基礎 1 1-1場效電晶體簡介 1 1-2金氧半場效電晶體的構造、原理與特性 3 1-3金氧半場效電晶體的應用 14 二、MOS通道一維表面電位分析 19 2-1表面電位概說及計算 19 2-2臨限電壓的求得 21 2-3表面電位相關推導 22 2-4表面電位之繪圖與探討 24 三、MOS通道二維電位描述 29 3-1改變VG 29 3-2改變L對表面電位的影響 30 3-3 N通道改變NA摻雜量 34 結論 37 參考資料 38 | |
| dc.format.extent | 37p. | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 表面電位 | |
| dc.subject | MOS | |
| dc.subject | FET | |
| dc.title | MOS的Surface potential之探討 | |
| dc.type | Undergracase | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電097學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D946587197101.pdf | 669.69 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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