完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 李景松 | - |
| dc.contributor.other | K. T. Lee、Y. T. Shen、Y. C. Lin、Y. P. Huang、W. C. Hsu、C. S. Lee* | - |
| dc.date | 108 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-06-15T03:15:02Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-15T03:15:02Z | - |
| dc.date.issued | 10-24-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/1122 | - |
| dc.relation.ispartofseries | 2019 International Electron Devices and Materials Symposium | - |
| dc.relation.isversionof | accepted and to be puslished | - |
| dc.title | Al2O3/TiO2-Passivated InAlN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors | - |
| dc.contributor.department | 電子工程學系 | - |
| dc.identifier.AccessionNumber | 0008 | - |
| teacher.country | Taiwan | - |
| teacher.location | Chang-Gung University | - |
| teacher.media | 論文集+CD | - |
| teacher.international | 國際性 | - |
| teacher.type | 會議論文 | - |
| 分類: | 會議論文 | |
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| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
| C108312CE090009_001.pdf Restricted Access | 306.41 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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