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dc.contributor.author李景松-
dc.contributor.otherK. T. Lee、Y. T. Shen、Y. C. Lin、Y. P. Huang、W. C. Hsu、C. S. Lee*-
dc.date108-
dc.date.accessioned2020-06-15T03:15:02Z-
dc.date.available2020-06-15T03:15:02Z-
dc.date.issued10-24-19-
dc.identifier.urihttp://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/1122-
dc.relation.ispartofseries2019 International Electron Devices and Materials Symposium-
dc.relation.isversionofaccepted and to be puslished-
dc.titleAl2O3/TiO2-Passivated InAlN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors-
dc.contributor.department電子工程學系-
dc.identifier.AccessionNumber0008-
teacher.countryTaiwan-
teacher.locationChang-Gung University-
teacher.media論文集+CD-
teacher.international國際性-
teacher.type會議論文-
分類:會議論文

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