| 題名: | Al2O3/TiO2-Passivated InAlN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors |
| 作者: | 李景松 |
| 作者群: | K. T. Lee、Y. T. Shen、Y. C. Lin、Y. P. Huang、W. C. Hsu、C. S. Lee* |
| 系所/單位: | 電子工程學系 |
| 期刊名/會議名稱: | 2019 International Electron Devices and Materials Symposium |
| 會議地點 : | Chang-Gung University |
| 會議舉行國家 : | Taiwan |
| 日期: | 10-24-19 |
| 會議資料 : | 論文集+CD |
| 學年度: | 108 |
| 分類: | 會議論文 |
文件中的檔案：
| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
| C108312CE090009_001.pdf Restricted Access | 306.41 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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