完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 李景松 | - |
| dc.contributor.other | Ching-Sune Lee*、Wei-Chou Hsu、Yun-Jung Lin、Xue-Cheng Yao | - |
| dc.date | 108 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-06-15T03:15:06Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-15T03:15:06Z | - |
| dc.date.issued | 11-10-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/1159 | - |
| dc.relation.ispartofseries | The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) | - |
| dc.relation.isversionof | accepted and to be punlished | - |
| dc.title | InAlN/AlN/GaN Γ-Gate MOS-HFET With Composite Al2O3/TiO2 Passivation Layers | - |
| dc.contributor.department | 電子工程學系 | - |
| dc.identifier.AccessionNumber | 0009 | - |
| teacher.country | Japan | - |
| teacher.location | Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University (OIST) | - |
| teacher.media | 論文集+CD | - |
| teacher.international | 國際性 | - |
| teacher.type | 會議論文 | - |
| 分類: | 會議論文 | |
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| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
| C108312CE090008_001.pdf Restricted Access | 765.53 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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