| 題名: | InAlN/AlN/GaN Γ-Gate MOS-HFET With Composite Al2O3/TiO2 Passivation Layers |
| 作者: | 李景松 |
| 作者群: | Ching-Sune Lee*、Wei-Chou Hsu、Yun-Jung Lin、Xue-Cheng Yao |
| 系所/單位: | 電子工程學系 |
| 期刊名/會議名稱: | The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) |
| 會議地點 : | Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University (OIST) |
| 會議舉行國家 : | Japan |
| 日期: | 11-10-19 |
| 會議資料 : | 論文集+CD |
| 學年度: | 108 |
| 分類: | 會議論文 |
文件中的檔案：
| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
| C108312CE090008_001.pdf Restricted Access | 765.53 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
在 DSpace 系統中的文件，除了特別指名其著作權條款之外，均受到著作權保護，並且保留所有的權利。