| 題名: | Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics of Ferroelectric HfZrO2 Film Deposited on N+/P-Substrate with Microwave Thermal Annealing |
| 作者: | 林成利 |
| 作者群: | Cheng-Li Lin*、Tse-Jui Tseng、Yao-Jen Lee、Pi-Chun Juan、Tsung-Kuei Kang |
| 系所/單位: | 電子工程學系 |
| 期刊名/會議名稱: | 2019 Int. Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) |
| 會議地點 : | Four Points by Sheraton, Taoyuan Airport MRT A9 Linkou Station |
| 會議舉行國家 : | Taiwan |
| 日期: | 10-24-19 |
| 會議資料 : | 論文集+CD |
| 學年度: | 108 |
| 分類: | 會議論文 |
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