題名: | 氧化釔鉿(HfYO)薄膜之閘極鐵電負電容製程開發與特性研究 |
作者: | 林成利 |
關鍵字: | 氧化釔鉿、鐵電材料、負電容、磁滯效應、極化 |
系所/單位: | 電子工程學系, 資訊電機學院 |
描述: | 本計畫進行氧化釔鉿(HfYO)鐵電材料薄膜經微波退火(MWA)與快速熱退火 (RTA)特性研究。以濺鍍製程沉積HfYO 為鐵電層的MFIS 結構為電容試片,觀 察否有鐵電性及負電容特性產生,並且比較不同退火製程條件下的氧化層漏電流、 電容大小以及鐵電負電容特性。 在RTA 750℃製程條件下可觀察到最大的P-V 磁滯迴圈,即有較佳的極化現 象,經由量測元件之Ig-Vg 特性後,可得知矯頑電場強度方面有不錯的表現。在 微波退火方面,經微波退火100 秒及200 秒後的元件,施加偏壓至3.4V~3.5V 時, 其極化(polarization)較明顯,有電容峰值產生,這個峰值意味有負電容效應產生。 綜合以上不同退火製程條件實驗結果,以MWA 200 秒退火鐵電氧化層較為適合, 在閘極漏電流及電容值上較其他退火製程條件有較佳的表現。 |
學年度: | 107 |
開課老師: | 林成利 |
計畫編號: | 107-2813-C-035-097-E |
執行起迄: | 2018/07/01~2019/02/28 |
分類: | 109年度 |
文件中的檔案:
檔案 | 大小 | 格式 | |
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107-2813-C-035-097-E.pdf | 1.99 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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