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dc.contributor.author林成利
dc.contributor.otherCheng-Li Lin、Tai-Yin Lin、Yu-Zhang Zhu、Sheng-Huang Chang、Yao-Jen Lee
dc.date107
dc.date.accessioned2020-06-15T03:14:26Z-
dc.date.available2020-06-15T03:14:26Z-
dc.date.issued04-26-19
dc.identifier.urihttp://dspace.fcu.edu.tw/handle/2376/915-
dc.relation.ispartofseries26th Symp. on Nano Device Technology (2019 SNDT)
dc.relation.isversionofAA00070-1, p.19
dc.titleElectrical and Ferroelectric Characteristics of HfZrO2 Capped with Thin HfON Films on MFIS Structure for Future Nanoscale FET Application
dc.contributor.department電子工程學系
dc.identifier.AccessionNumber0038
teacher.country臺灣
teacher.location台灣半導體研究中心奈米電子研究大樓國際會議廳
teacher.media摘要集
teacher.international非國際性
teacher.type會議論文
分類:會議論文

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