題名: Electrical and Ferroelectric Characteristics of HfZrO2 Capped with Thin HfON Films on MFIS Structure for Future Nanoscale FET Application
作者: 林成利
作者群: Cheng-Li Lin、Tai-Yin Lin、Yu-Zhang Zhu、Sheng-Huang Chang、Yao-Jen Lee
系所/單位: 電子工程學系
期刊名/會議名稱: 26th Symp. on Nano Device Technology (2019 SNDT)
會議地點 : 台灣半導體研究中心奈米電子研究大樓國際會議廳
會議舉行國家 : 臺灣
日期: 04-26-19
會議資料 : 摘要集
學年度: 107
分類:會議論文

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