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dc.contributor.author蔡亦哲
dc.contributor.author鐘維新
dc.contributor.author吳婷婷
dc.contributor.author黃馨儀
dc.contributor.author陳冠鳴
dc.date101學年度第二學期
dc.date.accessioned2013-09-30T01:49:37Z
dc.date.accessioned2020-07-30T08:10:21Z-
dc.date.available2013-09-30T01:49:37Z
dc.date.available2020-07-30T08:10:21Z-
dc.date.issued2013-09-30T01:49:37Z
dc.date.submitted2013-09-29
dc.identifier.otherD9871525 、D9818655、D9827010、D9870979、D9871453
dc.identifier.urihttp://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/31375-
dc.description.abstract本專題係利用臭氧水處理砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構形成金屬-氧化物-半 導體閘極結構之場效電晶體,並研製一應用Γ-閘極製程技術於砷化鋁鎵/砷化銦 鎵異質結構場效電晶體,以同時獲致有效縮短閘極長度、表面鈍化處理與形成一 場極板結構之優異特性。在閘極長度為1.2 μm 砷化鋁鎵蕭特基接觸層上沉積 100Å的氧化層,並形成一Γ-閘極結構樣本B(樣本C)有效縮短閘極長度為 0.8 (0.6) μm 及一長度為0.4 (0.6) μm 之場極板結構之探討。 使用傳統(樣本A)與不同Γ-閘極尺寸之砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構場效電晶 體(樣本B/樣本C)之直流和微波特性分別為:最大飽和電流密度IDSS, max (331 mA/mm、339 mA/mm及350 mA/mm),最大轉導值gm,max (115 mS/mm、129mS/mm 及137 mS/mm),電流增益截止頻率fT (10.9 GHz、13.3 GHz及14.4 GHz)、最大震 盪頻率fmax (19.3 GHz、26.8 GHz及35.3 GHz),最小雜訊NFmin 在2.4GHz/ 5.8 GHz 分別為 (1.5/ 3.1 dB、1.1/ 2.4 dB及0.9/ 2.1 dB),附加功率效率P.A.E.在2.4 GHz/ 5.8 GHz分別為 (24.2/ 16.2 %、31.7/ 26.5 %及35/ 28 %)。 實驗結果顯示,使用Γ-閘極結構之砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構場效體可有效改善電流密度及輸出功率等特性。
dc.description.abstractIn this work, we have an effective method of the ozone water treatment and shrinking gate length by gamma gate metal. Depositing gate metal across a step undercut between the AlGaAs and the oxide to obtain a reduced gate length of 0.8 (0.6) μm with an additional 0.4 (0.6) μm field plate from a 1.2 μm gate window for the Sample B (Sample C). Experiment results indicate the following devices DC and microwave characteristics: the maximum saturation drain current density IDSS, max (331, 339 and 350 mA/mm), the maximum extrinsic transconductance gm,max (115, 129 and 137 mS/mm), the unity current gain cut-off frequency fT (10.9 GHz,13.3 GHz and 14.4 GHz), the maximum oscillation frequency fmax (19.3 GHz, 26.8 GHz and 35.3 GHz), the minimum noise figure NFmin at 2.4/5.8 GHz (1.5/ 3.1 dB, 1.1/ 2.4 dB and 0.9/ 2.1 dB) and the power-added-efficiency P.A.E. at 2.4/5.8 GHz (24.2/ 16.2 %, 31.7/ 26.5 % and 35/ 28 %).
dc.description.tableofcontents摘要 ……………………………………………………………………………….… i Abstract ……………………………………….……………………………………. ii 圖片索引 …………………………………………………………………………. v 第一章 序論 ……………………………………………………………………… 1 第二章 材料成長與基礎原理 …………………………………………………… 3 2-1 pHEMT簡介 ………………………………………………………………. 3 2-2 pHEMT磊晶層的設計 ……………………………………………………. 3 2-2-1 覆蓋層 ……………………………………………………………… 3 2-2-2 蕭特基層 …………………………………………………………… 4 2-2-3 δ摻雜載子提供層 …………………………………………………. 4 2-2-4 隔離層 ……………………………………………………………… 5 2-2-5 通道層 ……………………………………………………………… 5 2-2-6 緩衝層 ……………………………………………………………… 6 2-3 二維電子雲 ………………………………………………………………… 6 第三章 元件結構與製程 ………………………………………………………… 7 3-1 元件結構 …………………………………………………………………… 7 3-2 元件製程 …………………………………………………………………… 8 3-2-1 樣本定位 …………………………………………………………… 8 3-2-2 高台絕緣 …………………………………………………………… 8 3-2-3 源極和汲極的金屬化 ……………………………………………… 9 3-2-4 閘極蕭特基接觸形成 …………………………………………….. 10 3-2-5 臭氧水處理(樣本B和樣本C) …………………………………….. 11 3-2-6 Γ-閘極蕭特基接觸(樣本B和樣本C) …………………………… 11 第四章 實驗結果與探討 ……………………………………………………….. 12 4-1 霍爾量測 …………………………………………………………………… 12 4-2直流特性 ……………………………………………………………………. 13 4-2-1 電流電壓特性 …………………………………………………….. 13 4-2-2 外質轉導特性 …………………………………………………….. 13 4-2-3 兩端崩潰電壓特性 ……………………………………………….. 14 4-2-4 三端崩潰電壓特性 ……………………………………………….. 14 4-2-5 輸出轉導特性 …………………………………………………….. 15 4-2-6 電容電壓特性 …………………………………………………….. 16 4-3 射頻特性 …………………………………………………………………… 16 4-4 功率特性 …………………………………………………………………… 17 4-5 雜訊特性 …………………………………………………………………… 18 4-6低頻雜訊特性 ………………………………………………………………. 19 4-7 變溫特性 …………………………………………………………………… 19 4-7-1電流電壓特性 ……………………….….………………………..... 19 4-7-2外質轉導特性 ………………………………………………….….. 20 4-7-3兩端崩潰電壓特性 ……………………………………….……….. 20 第五章 結論 …………………………………………………………………….. 21 參考資料 …………………………………………………………………………... 22
dc.format.extent40p.
dc.language.isozh
dc.rightsopenbrowse
dc.subjectΓ-閘極
dc.subject金屬-氧化物-半導體閘極
dc.subject高電子遷移率電晶體
dc.subjectΓ-gate MOS-HEMT
dc.title具有不同Γ-閘極偏移結構金屬-氧化物-半導體砷化鋁鎵/砷化銦鎵擬晶式高電子遷移率電晶體之研製
dc.title.alternativeInvestigations of AlGaAs/InGaAsMOS-HEMTs with Different Shifted Γ-Gate Structures
dc.typeUndergraReport
dc.description.course微波元件
dc.contributor.department電子工程學系, 資訊電機學院
dc.description.instructor李景松
dc.description.programme電子工程學系, 資訊電機學院
分類:資電101學年度

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