完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 蔡志明 | |
| dc.contributor.author | 呂秉叡 | |
| dc.contributor.author | 戴明傑 | |
| dc.date | 94學年度 | |
| dc.date | 第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-06-03T03:19:47Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-22T08:32:07Z | - |
| dc.date.available | 2009-06-03T03:19:47Z | |
| dc.date.available | 2020-05-22T08:32:07Z | - |
| dc.date.issued | 2007-11-06T02:02:30Z | |
| dc.identifier.other | D9149664 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lib.fcu.edu.tw/handle/2377/523 | - |
| dc.format.extent | 51 | |
| dc.format.extent | 1346284 bytes | |
| dc.format.extent | 1832 bytes | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.format.mimetype | text/plain | |
| dc.language | 中文 | |
| dc.language.iso | zh_TW | |
| dc.rights | 開放檢索瀏覽下載 | |
| dc.subject | 垂直式雙擴散低壓功率元件 | |
| dc.subject | 閘極長度 | |
| dc.subject | ISE TCAD | |
| dc.title | 垂直式雙擴散低壓功率金氧半場效應電晶體之閘極長度的最佳化設計 | |
| dc.title | The Optimum gate length design o f vertical double-diffueffused low voltage power MOSFET | |
| dc.type | 大學生專題報告 | |
| dc.description.course | 專題研究, 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 簡鳳佐, 李景松 | |
| dc.description.programme | 資訊電機學院 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電094學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D9149664200501.pdf | 1.31 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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