| 題名: | 垂直式雙擴散低壓功率金氧半場效應電晶體之閘極長度的最佳化設計 The Optimum gate length design o f vertical double-diffueffused low voltage power MOSFET |
| 作者: | 蔡志明 呂秉叡 戴明傑 |
| 關鍵字: | 垂直式雙擴散低壓功率元件 閘極長度 ISE TCAD |
| 系所/單位: | 電子工程學系,資訊電機學院 |
| 日期: | 2007-11-06T02:02:30Z |
| 學年度: | 94學年度 第一學期 |
| 開課老師: | 簡鳳佐, 李景松 |
| 課程名稱: | 專題研究, 化合物半導體元件 |
| 系所: | 資訊電機學院 電子工程學系資訊電機學院 |
| 分類: | 資電094學年度 |
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| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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| D9149664200501.pdf | 1.31 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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