題名: | 先進的金氧半場效發射電晶體技術 |
作者: | 黃方澤 楊登偉 劉品麟 張新宏 王啟安 劉憲融 |
關鍵字: | Electromigration Strain FUSI Electroless plating Flash Nanowires |
系所/單位: | 電子工程學系,資訊電機學院 產業研發專班,資訊電機學院 |
摘要: | 多方功能性與複雜性的積體電路組合近來增加的很快速。在1990年後,藉著縮小的元件和線寬的尺寸這些複雜的特性被完成,且還需要去藉著使用較低電阻值的銅去取代鋁合金來降低電路延遲。 電致遷移(EM),金屬的質量傳輸是由於導電的電子和擴散金屬原子之間的動能轉換,和存在的電流流通在金屬導線上。電致遷移已經在100年多前就已經被大量的發現,1996年的早期的IC製造出來的時期是它第一次被揭發和持續有問題出現。電致遷移是未來在後段製程研究的主要影響因素。 另外,在這20年來,應力通道技術被完全檢驗,因為它增強了載子在元件驅動電流移動的主要因素的貢獻。為了CMOS高的效能,近來他有被提出整合入積體電路工業裡。雖然有很多的方法去尋找高增強型的元件,但應力技術是很有希望的候選者之一。接下來的章節我們將探討在一般(100)矽基板的矽通道的應力。我們將討論基本的矽應力的物理機制、近來提出的技術和未來的目標。 互補式金氧半製程是最重要的半導體積體電路技術,舉凡記憶體及邏輯等多樣化的產品皆以此作為發展的原動力,相關產業也因而興盛不已。一個MOS電晶體元件是以閘極作為控制電極,即以閘極的電壓訊號控制電晶體的輸出特性。傳統上,是以含高濃度n型雜質的多晶矽做為此閘極材質。進入深次微米紀元後,相關的閘極技術有很大的變革,也面臨許多的挑戰及問題待突破與解決,包括材料種類、形成方式、及可靠性等。 除了以上簡短說明之外,此報告將還會針對MOSFET應用方面,如無電鍍化學、Flash、奈米科技的應用‧‧‧等等作更深一步的探討。 |
日期: | 2007-07-10T07:52:59Z |
學年度: | 95學年度第二學期 |
開課老師: | 李景松 |
課程名稱: | 高等半導體元件 |
系所: | 電子工程學系, 資訊電機學院 |
分類: | 資電095學年度 |
文件中的檔案:
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
---|---|---|---|---|
M959399095201.pdf | 4.01 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
在 DSpace 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。