水平雙擴散電晶體之SOI結構模擬分析

Abstract

雙擴散金氧半電晶體部分則應用Reduce Surface Field(簡稱RESURF 原理)來增進電晶體耐壓的能力， 並針對元件的終端結構利用場板（ field plate） 的方法來改善元件終端的電場分佈。也討論了p-body邊界長度越靠近氧化層的鳥嘴結構，則電晶體的崩潰電壓也就越高。磊晶層厚度也是影響崩潰電壓因素之ㄧ，太厚磊晶層反而會導致提早崩潰，使氧化層沒有完全發揮到耐壓特性。