完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 游承儒 | |
| dc.contributor.author | 王仁佑 | |
| dc.contributor.author | 陳俊嘉 | |
| dc.date | 96學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-08-23T05:53:16Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-22T08:32:53Z | - |
| dc.date.available | 2009-08-23T05:53:16Z | |
| dc.date.available | 2020-05-22T08:32:53Z | - |
| dc.date.issued | 2007-12-27T02:31:19Z | |
| dc.date.submitted | 2007-12-27 | |
| dc.identifier.other | D9323650 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lib.fcu.edu.tw/handle/2377/561 | - |
| dc.description.abstract | 本專題的研究中，主要是探討提升源極/汲極( Raised Germanium Source/Drain )結構實驗的結果。發現提升鍺二極體的漏電流極大，這是由於接面空乏區有差排的分布，其逆偏1V的面積漏電流密度為1.35E-3 A/cm2。所以在堆疊鍺之前，先沉機ㄧ層矽化鍺，使晶格差異變小，可以大幅的降低漏電流。 另一方面，利用超高真空化學氣相沈積系統( Ultra High Vacuum Chemical Vapor Deposition System, UHVCVD System )做一般的沈積，因製程時間過長造成硼往矽基板方向擴散至較深的接面深度，利用不同堆疊( Stack )結構可以使接面深度大幅地改善，但漏電流只有些微提高。 | |
| dc.format.extent | 51p. | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 鍺 | |
| dc.subject | 提升源極/汲極 | |
| dc.title | 藉由不同堆疊結構對提升鍺/矽p+-n二極體分析 | |
| dc.type | UndergraReport | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程系,資電學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程系,資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電096學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D932365096101.pdf | 509.3 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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