完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author蔡育貽
dc.contributor.author張煜群
dc.date96學年度第一學期
dc.date.accessioned2009-08-23T05:53:20Z
dc.date.accessioned2020-05-22T08:32:54Z-
dc.date.available2009-08-23T05:53:20Z
dc.date.available2020-05-22T08:32:54Z-
dc.date.issued2008-06-10T07:48:12Z
dc.date.submitted2008-01-08
dc.identifier.otherD9366628
dc.identifier.urihttp://dspace.lib.fcu.edu.tw/handle/2377/566-
dc.description.abstract近年來在資訊革命快速的成長之下,MOSFET元件尺寸快速的精進微縮,有效的提升了微處理器的性能。而莫耳定律( Moore’s law )促成資訊革命的基本法則,在1965年Gordon Moore 預測晶片上之電晶體數目,將隨著時間成指數型增加。 在0.1微米(μm)以後的元件製作,由於金屬閘極結構的低電阻與無載子空乏等優點,一般預測金屬閘極結構將會取代多晶矽。但必須選擇在製程方面容易被微影蝕刻加工,且抗腐蝕性強的閘極金屬材料。其同時也須具備良好的熱穩定性(thermal stability),對主要的連線金屬成分,要有良好的阻擋特性。並且閘極材料本身不會滲入氧化層造成損傷,或和氧化層反應。再者,要和閘極介電層材質界面特性良好穩定,附著性高不易剝落,在製作金屬閘極時也不會對介電質材料造成傷害。
dc.format.extent51p.
dc.language.isozh
dc.rightsopenbrowse
dc.subject全金屬矽化物
dc.subject金屬鎳矽化物
dc.subject窄線寬效應
dc.subject橋接效應
dc.title藉由不同的結構對全金屬鎳矽化物之研究
dc.typeUndergraReport
dc.description.course化合物半導體元件
dc.contributor.department電子工程學系, 資訊電機學院
dc.description.instructor李景松
dc.description.programme電子工程學系, 資訊電機學院
分類:資電096學年度

文件中的檔案:
檔案 描述 大小格式 
D936662896101.pdf1.35 MBAdobe PDF檢視/開啟


在 DSpace 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。