藉由不同的結構對全金屬鎳矽化物之研究

Abstract

近年來在資訊革命快速的成長之下，MOSFET元件尺寸快速的精進微縮，有效的提升了微處理器的性能。而莫耳定律( Moore’s law )促成資訊革命的基本法則，在1965年Gordon Moore 預測晶片上之電晶體數目，將隨著時間成指數型增加。 在0.1微米（μm）以後的元件製作，由於金屬閘極結構的低電阻與無載子空乏等優點，一般預測金屬閘極結構將會取代多晶矽。但必須選擇在製程方面容易被微影蝕刻加工，且抗腐蝕性強的閘極金屬材料。其同時也須具備良好的熱穩定性（thermal stability），對主要的連線金屬成分，要有良好的阻擋特性。並且閘極材料本身不會滲入氧化層造成損傷，或和氧化層反應。再者，要和閘極介電層材質界面特性良好穩定，附著性高不易剝落，在製作金屬閘極時也不會對介電質材料造成傷害。