多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響

Abstract

複晶矽薄膜電晶體其具有較高的載子遷移率與驅動電流，且有將驅動電路整合於基板上的能力，開創高亮度、減少面板製造上的成本和增加可靠度等優點，所以在許多方面像主動式液晶顯示器、太陽能電池、記憶元件等發展已經受到矚目。 然而我們可以在許多文獻中發現，複晶矽薄膜電晶體不斷的改良出新穎式的結構，好因應高接面電場所帶來許多的不理想效應，而多閘極薄膜電晶體此結構就是其中之一，但在過去的文獻裡，我們只能知道它可以有效的降低電場，卻不曉得此結構操作的原理以及其設計的依據。 在本實驗中，我們利用ISE TCAD此套軟體進行了對Multigate TFT二維的模擬，並且研究了許多不同閘極長度的電場值，最後成功的解釋了它的物理特性以及整理出一套的設計依據，如此一來，就能明確地控制此結構並抑止高接面電場及其所帶來的不理想效應，也將不會浪費多餘的製程成本。