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  4. 資電097學年度
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DC 欄位值語言
dc.contributor.author陳佑瑋
dc.contributor.author李育釗
dc.date97學年度第一學期
dc.date.accessioned2009-06-02T07:56:10Z
dc.date.accessioned2020-05-29T08:37:15Z-
dc.date.available2009-06-02T07:56:10Z
dc.date.available2020-05-29T08:37:15Z-
dc.date.issued2009-01-16T03:46:12Z
dc.date.submitted2008-01-15
dc.identifier.otherd9650313、d9649992
dc.identifier.urihttp://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/731-
dc.description.abstract隨著IC製程的演進，元件尺寸越做越小，而閘極氧化層(SiO2)也越來越薄，使得直接穿隧漏電流(Direct Tunneling)的增加，造成元件漏電流與功率損耗，所以使用高介電常數材料(High dielectric constant)來取代SiO2，一般稱為High-k材料。因為在相同電容下，High-k介電層的厚度是二氧化矽之數倍，能夠有效降低直接穿隧漏電流，而許多研究指出鉿(hafnium，Hf)這個元素，為最有希望取代SiO2作為閘極介電層之材料，所以選定Hf為研究主題。TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown)。在半導體可靠度裡，是一個研究故障機制的重要方法，量測的目的就是要檢測出閘極介電層的生命 期，提供規劃最佳製程設計。本專題針對定電壓測試(Constant Voltage Stress，CVS)所得到的TBD (Time To Breakdown)及I-t特性圖，進行閘極介電層的可靠度分析，及崩潰機制的討論。
dc.description.tableofcontents目錄 第一章 序論............................................. 6 1.1前言.................................................. 6 1.2研究動機.............................................. 9第二章 理論分析..........................................10 2.1 量測方法TDDB........................................ 10 2.2 量測機台介紹.........................................11 2.3 等效氧化層厚度(EOT) .................................12 2.4 漏電流傳導機制.......................................13 2.5 MOCVD................................................14 第三章 實驗步驟..........................................17 3.1 HfO2閘極介電層製程步驟................................17 3.2 SiO2閘極氧化層製程步驟................................20 3.3 HfO2與SiO2電流對時間(I-t)之特性.......................23 3.4 HfO2 TBD韋伯分佈圖....................................26 第四章 結論..............................................27 4.1 SiO2閘極氧化層崩潰機制................................27 4.2 HfO2閘極介電層崩潰機制................................28 參考文獻.................................................29
dc.format.extent32p.
dc.language.isozh
dc.rightsopenbrowse
dc.subject崩潰
dc.subject可靠度
dc.subjectHigh-K
dc.subjectHfO2
dc.subjectTDDB
dc.title高介電常數閘極介電層TDDB崩潰行為之研究
dc.typeUndergracase
dc.description.course化合物半導體元件
dc.contributor.department電子工程學系, 資訊電機學院
dc.description.instructor李景松
dc.description.programme電子工程學系, 資訊電機學院
分類:資電097學年度

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