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逢甲大學校園典藏知識庫
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Investigation of AlGaN/GaN MOS-HEMT with In-Situ Doped Al2O3 by Using Ultrasonic Pyrolysis Deposition
李景松
07-22-19
Al2O3-Dielectric InAlN/AlN/GaN MOS-HFETs With Enhanced UV Detection
李景松
07-22-19
Al2O3/TiO2-Passivated InAlN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
李景松
10-24-19
InAlN/AlN/GaN Γ-Gate MOS-HFET With Composite Al2O3/TiO2 Passivation Layers
李景松
11-10-19
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