藉由不同堆疊結構對提升鍺/矽p+-n二極體分析

Abstract

本專題的研究中，主要是探討提升源極/汲極( Raised Germanium Source/Drain )結構實驗的結果。發現提升鍺二極體的漏電流極大，這是由於接面空乏區有差排的分布，其逆偏1V的面積漏電流密度為1.35E-3 A/cm2。所以在堆疊鍺之前，先沉機ㄧ層矽化鍺，使晶格差異變小，可以大幅的降低漏電流。 另一方面，利用超高真空化學氣相沈積系統( Ultra High Vacuum Chemical Vapor Deposition System, UHVCVD System )做一般的沈積，因製程時間過長造成硼往矽基板方向擴散至較深的接面深度，利用不同堆疊( Stack )結構可以使接面深度大幅地改善，但漏電流只有些微提高。