高效能抬升式汲源極之新式雙通道薄膜電晶體

Abstract

複晶矽薄膜電晶體因為擁有較高的場效應遷移率與驅動電流，在許多方面像主動式液晶顯示器、太陽能電池、記憶元件等的發展已經受到矚目。然而，傳統的複晶矽薄膜電晶體其特性已經不能夠滿足市場所需要的速度與驅動電流。 隨後，從許多已發表的論文中得知藉由使用雙閘極使元件有效的增加複晶矽薄膜電晶體的驅動電流，但是一個高性能的雙閘極複晶矽薄膜電晶體需要困難的製程技術而且還有相當大的漏電流和電場。而後有人提出了以雙通道的型式來增加複晶矽薄膜電晶體的驅動電流並降低電場，不過此結構的不對稱與材料間的應力問題使得在結構應用上的不理想。 在本實驗中，我們提出了新式單閘極雙通道複晶矽薄膜電晶體，且此結構藉由加入抬升式汲源極結構和Offset結構來提供了較好的元件特性與較低的串聯電阻，從我們的模擬結果中得知，靠近汲極端的電場強度與傳統型的元件比較之下明顯降低了許多，如此一來，就會改善一些不理想效應。