薄膜電晶體汲極結構設計對電場之影響

Abstract

複晶矽薄膜電晶體因為擁有較高的場效應遷移率與驅動電流，在許多方面像主動式液晶顯示器、太陽能電池、記憶元件等的發展已經受到矚目。然而，傳統的複晶矽薄膜電晶體其特性已經不能夠滿足市場所需要的速度與驅動電流。 許多已發表的論文中得知藉由使用汲源極增厚使得結構有厚的汲/源極，由於汲/源極的面積增加而分散電場，這樣能有效的分散水平電場強度，使電場隨之降低，因而降低了漏電流，也能有效的提供元件有較高的開關電流比。 在本實驗中，我們抱持著懷疑的態度，去探討汲源極增厚，對電場的影響。我們可以從實驗結果中得知，汲源極增厚不一定能降低電場，而是因為汲極結構的不同，而造成電場不同的下降原因。本實驗將會推論出，不同汲源極增厚結構降電場的主要原因。