完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳信宏 | |
| dc.date | 97學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-06-02T07:56:05Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-29T08:37:16Z | - |
| dc.date.available | 2009-06-02T07:56:05Z | |
| dc.date.available | 2020-05-29T08:37:16Z | - |
| dc.date.issued | 2008-12-26T09:04:35Z | |
| dc.date.submitted | 2008-12-26 | |
| dc.identifier.other | d9422492 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/743 | - |
| dc.description.abstract | 首先，我們提出一種新穎的矽奈米晶體記憶體結構此種記憶體結構是將矽奈米晶體埋藏於氮化矽層中，也就是在SONOS元件的氮化矽層中加入矽奈米晶體。 在不同矽奈米晶體沉積時間的研究當中，我們所選取的矽奈米晶體沉積時間分別為10秒、30秒、60秒、90秒，我們將研究矽奈米晶體之沉積時間對元件特性的影響，如寫入速度、抹除速度、資料保存能力...等。我們的研究結果中發現在寫入速度及抹除速度上，矽奈米晶體沉積時間為30秒的試片有最好的寫入速度及抹除速度，而矽奈米晶體沉積時間為10秒的試片有最差的寫入速度及抹除速度。在資料保存能力的特性上，我們的研究結果發現不管在室溫或高溫的烘烤下，矽奈米晶體沉積時間為60秒的試片都有最好的資料保存能力。 整體而言，此種將矽奈米晶體埋藏於氮化矽層中的矽奈米晶體記憶體具有優越的記憶體元件特性；以及矽奈米晶體沉積時間為30秒的條件是一個最佳化的矽奈米晶體沉積時間。 | |
| dc.description.tableofcontents | 目 次 摘要………………………………………………………….……..……1 目次………………………………………………………….……..……2 圖、表目錄………………………………………………….………..…4 第一章 緒論……………………………………………….…………....6 1.1 快閃記憶體技術之概要………………….………….……6 1.2 浮動式閘極記憶體介紹……….…….……….…………...8 1.3 SONOS記憶體介紹…………………………….…….......9 1.4 奈米晶體記憶體介紹……………………………….……10 1.5 動機………………….……………………………………12 1.6 專題架構…………………………………………….……13 第二章 記憶體操作原理與元件製程…………………….……....…...16 2.1 緒論……………………………………..……….………..16 2.2 元件製程…………………………...…….……………….16 2.3 記憶體操作原理…………………………...…….…….…18 2.3.1 寫入操作………………………………….………...18 2.3.2 抹除操作…………………………….……………...20 2.4 干擾和保存能力.................................................................21 2.5 量測設備.............................................................................22 第三章 矽奈米晶體記憶體元件的特性................................................26 3.1 緒論.....................................................................................26 3.2 討論與結果……………………………………………….27 3.3 結論……………………………………………………….31 第四章 總結以及未來展望……………………………………………39 4.1 總結.....................................................................................39 4.2 未來展望.............................................................................40 參考文獻..................................................................................................41 | |
| dc.format.extent | 43p | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 奈米晶體記憶體 | |
| dc.subject | 臨場沉積法 | |
| dc.subject | 矽氧氮氧矽非揮發性記憶體 | |
| dc.title | 利用臨場沉積法將矽奈米晶體埋藏於氮化矽層之奈米晶體記憶體之研究 | |
| dc.type | Undergracase | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系,資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電097學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| d942249297101.pdf | 1.22 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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