利用臨場沉積法將矽奈米晶體埋藏於氮化矽層之奈米晶體記憶體之研究

Abstract

首先，我們提出一種新穎的矽奈米晶體記憶體結構此種記憶體結構是將矽奈米晶體埋藏於氮化矽層中，也就是在SONOS元件的氮化矽層中加入矽奈米晶體。 在不同矽奈米晶體沉積時間的研究當中，我們所選取的矽奈米晶體沉積時間分別為10秒、30秒、60秒、90秒，我們將研究矽奈米晶體之沉積時間對元件特性的影響，如寫入速度、抹除速度、資料保存能力...等。我們的研究結果中發現在寫入速度及抹除速度上，矽奈米晶體沉積時間為30秒的試片有最好的寫入速度及抹除速度，而矽奈米晶體沉積時間為10秒的試片有最差的寫入速度及抹除速度。在資料保存能力的特性上，我們的研究結果發現不管在室溫或高溫的烘烤下，矽奈米晶體沉積時間為60秒的試片都有最好的資料保存能力。 整體而言，此種將矽奈米晶體埋藏於氮化矽層中的矽奈米晶體記憶體具有優越的記憶體元件特性；以及矽奈米晶體沉積時間為30秒的條件是一個最佳化的矽奈米晶體沉積時間。